国产首台28nm光刻机取得突破；我国对镓、锗出口管制今日正式实施

今年以来，中美之间这场没有硝烟的“芯片战争”愈演愈烈。在美国拉拢之下，荷兰、日本芯片设备的对华出口限制政策步步收紧。

7月23日，日本实施限制半导体制造设备出口新规正式生效，这对中国半导体产业最尖端的芯片制造领域带来巨大压力。此外，荷兰光刻机巨头ASML也步步收紧对华设备出口政策，甚至限制其设备的在华售后服务。

但也正是重重压力，倒逼我国加快国产自研速度。近日，国内半导体领域频频传出好消息，国产高端芯片似乎看到了曙光。

【资料图】

上海微电子28nm浸润式光刻机

预计年底交付

近日，相关媒体消息称，上海微电子正极力研发28纳米浸润式DUV光刻机，预计在2023年底将交付国产第一台SSA/800-10W光刻机设备。

同时，去年底官方公布华为一项名为“反射镜、光刻设备及其控制方法”(CN115343915A)的新专利，未来能在EUV光刻机核心技术上取得的突破性进展。另外，华中科技大学研制的OPC系统、哈尔滨工业大学研制的镭射干涉系统等，也各自有所突破，这都将加快推进14纳米、7纳米甚至更低节点的光刻机研发工作。

我们知道，光刻机是半导体产业链中最精密的设备，是制造芯片的核心装备。ASML副总裁曾说，光刻机是人类有史以来制造出的最复杂的机器。光刻机技术有多难？业界有一个形象的比喻：光刻机要实现用光在晶圆上画图，相当于两架客机齐头并进，一架机翼上挂一把刀，另一架飞机上粘一颗米粒，用刀在米粒上刻字。

当前，全球光刻机市场主要被荷兰阿斯麦、日本尼康和佳能所占据，我国光刻机产业处处被“卡脖子”。上海微电子副董事长贺荣明在受访时表示：“2002年，我国专家出国考察时，对方工程师说，哪怕把所有图纸都给你们，你们也未必能做出光刻机。”

回国后，贺荣明带领上海微电子团队夜以继日进行技术攻关，终于在关键环节取得重大突破，为国产光刻机带来好消息。

若上海微电子28nm浸润式光刻机在年底顺利交付，这将意味着，我们实现了90nm到28nm制程的飞。而且，28nm光刻机并不是只能生产28nm制程工艺的芯片，而是可以通过多次曝光，或是新的技术路线如中芯国际的N+1、N+2等技术，生产14nm甚至7nm制程工艺的芯片。一旦可以制造7nm芯片，就可以解决半导体产业大部分的需求，

对此，业内人士普遍表示，我国企业加快核心领域自主研发，光刻机产业链上下游正不断涌现出新进展、新成果，国产化加速向前。“中国芯”正在崛起。

被反向“卡脖子”后

美国五角大楼拟从废料中回收镓

在美日荷不断升级的限制之下，我国也已经采取了反击措施。

7月3日，我国对第三代半导体的关键材料镓、锗相关物项实施出口管制，这一政策今日（8月1日）起正式开始实施。

此举使得海外芯片厂开始紧急囤货。全球最大的镓采购商弗莱伯格复合材料公司（总部位于德国）此前表示，该公司几乎完全依赖中国供应商来满足其对镓的需求，以生产用于手机无线电信号放大器和光学电子产品的砷化镓晶圆。中国对镓的出口管制公告一出，客户都开始疯狂囤积这些材料，整个行业非常紧张。

金属镓

基于此，全球的镓、锗价格已经开始上涨，不过此前涨幅并不算夸张，今天正式限制之后还有待观察。

美国方面看起来也已经受到影响，甚至准备回收废料中的镓。

根据美媒彭博社报道，在中国对镓实施出口管制后，五角大楼计划在年底前首次与美国或加拿大公司签署有关回收镓的合同。镓可用于半导体和军用雷达系统。美国表示，美国目前拥有锗的战略储备，但没有镓的库存储备。

中国地质科学院矿产资源研究所2020年的一份报告显示，目前全球金属镓的储量约为23万吨，而中国的储量居全球第一，达到19万吨，占全球储量的80%左右。

相比之下，美国的镓储量还不到中国的1/40，只有万吨。

美国防部发言人说，计划在12月31日之前动用《国防生产法案》（DPA）中的优先安排，“重点从现有其他产品废物流中回收镓”。

由此可见，我国的反向“卡脖子”行动，已经让美国受到影响。而7月底，美国芯片三巨头英特尔、高通和英伟达CEO集体行动，劝说拜登政府收手对华限制政策，可见这场“芯片战”中，美国也已经受到不小的损失。

另外，值得一提的是，7月31日，商务部、海关总署、国家国防科工局、中央军委装备发展部联合发布了关于无人机出口管制的两个公告。分别对部分无人机专用发动机、重要载荷、无线电通信设备和民用反无人机系统等实施出口管制，对部分消费级无人机实施为期2年的临时出口管制，同时，禁止其他未列入管制的所有民用无人机出口用于军事目的。上述政策将于9月1日起正式施行。此前，已经向有关国家和地区作了通报。

上海微电子光刻机方面的突破，仅仅是我国企业在光刻机走向自主可控进程中付出努力的一个缩影。随着产业链上下游企业的共同努力，我国半导体设备国产化率日渐提升。

浙商证券研报表示，当前我国在清洗、热处理、去胶设备的国产化率分别达到34%、40%、90%；在涂胶显影、刻蚀、真空镀膜的国产化率达到10%至30%；在原子层沉积、光刻、量测检测、离子注入的国产化率暂时低于5%。

中国半导体行业协会副理事长于燮康也对记者表示：“尽管我国半导体产业面临技术等各种挑战，但高速增长的国内市场规模也为产业升级优化提供了重要机遇。”